Name: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 42 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 541-0856
Price: 14.01 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	42 A
	最大漏源电压	100 V
	封装类型	TO-247AC
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	36 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最小栅阈值电压	2V
	最大功率耗散	160 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	典型栅极电荷@Vgs	110 nC @ 10 V
	最高工作温度	+175 °C
	长度	15.9mm
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	宽度	5.3mm
	高度	20.3mm
	最低工作温度	-55 °C
	正向二极管电压	1.3V

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 42 A
	最大漏源电压 100 V
	封装类型 TO-247AC
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 36 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最小栅阈值电压 2V
	最大功率耗散 160 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V
	最高工作温度 +175 °C
	长度 15.9mm
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	宽度 5.3mm
	高度 20.3mm
	最低工作温度 -55 °C
	正向二极管电压 1.3V

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，42A 最大连续漏极电流，160W 最大功率耗散 - IRFP150NPBF

这款 MOSFET 专为需要高效开关的高性能应用而设计。它采用 N 沟道配置，可有效管理大功率负载，是各种电子电路和电源管理系统的关键元件。它能在很宽的温度范围内工作，从而提高了在各种环境中的适应性。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 42A
• 最大漏极-源极电压 100V
• 36mΩ 的低 Rds(on)，可提高效率
• 最大功率耗散为 160 瓦
• 利用增强模式改进运行
• 集成在 TO-247AC 封装中，可直接安装

应用

• 用于自动化设备的供电电路中
• 适用于电机控制工业机械
• 应用于可再生能源系统，实现有效的电力转换
• 适用于电信领域的高频开关

它是否能在高温环境中使用？

是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，允许在具有挑战性的条件下使用。

它能承受的最大栅源电压是多少？

该器件可处理 -20V 和 +20V 的最大栅极源极电压，为电路设计提供了多种选择。

低 Rds(on) 如何提高性能？

低 Rds（on）最大限度地减少了运行期间的功率损耗，从而提高了整体效率和热管理水平。

是否适合通孔安装？

是的，TO-247AC 封装专门用于通孔安装应用。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位
1 - 24	RMB12.40
25 - 99	RMB12.18
100 - 249	RMB11.89
250 - 499	RMB11.59
500 +	RMB11.32