Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP150NPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 541-0856
Distrelec 货号:: 303-41-346
制造商零件编号:: IRFP150NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP150NPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 541-0856
Distrelec 货号:: 303-41-346
制造商零件编号:: IRFP150NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	42A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-247
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	36mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	160W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	110nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	高度	20.3mm
	长度	15.9mm
	宽度	5.3 mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 42A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-247
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 36mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 160W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	高度 20.3mm
	长度 15.9mm
	宽度 5.3 mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，42A 最大连续漏极电流，160W 最大功率耗散 - IRFP150NPBF

这款 MOSFET 专为需要高效开关的高性能应用而设计。它采用 N 沟道配置，可有效管理大功率负载，是各种电子电路和电源管理系统的关键元件。它能在很宽的温度范围内工作，从而提高了在各种环境中的适应性。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 42A

• 最大漏极-源极电压 100V

• 36mΩ 的低 Rds(on)，可提高效率

• 最大功率耗散为 160 瓦

• 利用增强模式改进运行

• 集成在 TO-247AC 封装中，可直接安装

应用

• 用于自动化设备的供电电路中

• 适用于电机控制工业机械

• 应用于可再生能源系统，实现有效的电力转换

• 适用于电信领域的高频开关

它是否能在高温环境中使用？

是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，允许在具有挑战性的条件下使用。

它能承受的最大栅源电压是多少？

该器件可处理 -20V 和 +20V 的最大栅极源极电压，为电路设计提供了多种选择。

低 Rds(on) 如何提高性能？

低 Rds（on）最大限度地减少了运行期间的功率损耗，从而提高了整体效率和热管理水平。

是否适合通孔安装？

是的，TO-247AC 封装专门用于通孔安装应用。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP150NPBF, HEXFET系列