Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP150NPBF, HEXFET系列

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RS Stock No.:
541-0856
Distrelec Article No.:
303-41-346
Mfr. Part No.:
IRFP150NPBF
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

42A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

HEXFET

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

36mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

160W

最高工作温度

175°C

宽度

5.3 mm

长度

15.9mm

高度

20.3mm

标准/认证

No

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，42A 最大连续漏极电流，160W 最大功率耗散 - IRFP150NPBF


这款 MOSFET 专为需要高效开关的高性能应用而设计。它采用 N 沟道配置，可有效管理大功率负载，是各种电子电路和电源管理系统的关键元件。它能在很宽的温度范围内工作，从而提高了在各种环境中的适应性。

特点和优势


• 最大连续漏极电流为 42A

• 最大漏极-源极电压 100V

• 36mΩ 的低 Rds(on)，可提高效率

• 最大功率耗散为 160 瓦

• 利用增强模式改进运行

• 集成在 TO-247AC 封装中，可直接安装

应用


• 用于自动化设备的供电电路中

• 适用于电机控制 工业机械

• 应用于可再生能源系统，实现有效的电力转换

• 适用于电信领域的高频开关

它是否能在高温环境中使用？


是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，允许在具有挑战性的条件下使用。

它能承受的最大栅源电压是多少？


该器件可处理 -20V 和 +20V 的最大栅极源极电压，为电路设计提供了多种选择。

低 Rds(on) 如何提高性能？


低 Rds（on）最大限度地减少了运行期间的功率损耗，从而提高了整体效率和热管理水平。

是否适合通孔安装？


是的，TO-247AC 封装专门用于通孔安装应用。

安装过程中有哪些注意事项？


确保设备在运行期间得到充分冷却，以保持最佳性能并防止过热。