Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1 A, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD110PBF, IRFD系列

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RS 库存编号:
541-1039
制造商零件编号:
IRFD110PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

1A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

IRFD

包装类型

HVMDIP

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

540mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.3W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.3nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

2.5V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

5mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37mm

汽车标准

特点

• TrenchFET ® 功率 MOSFET

•具有低热阻的封装

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor