Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1 A, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚

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RS 库存编号:
541-1039
制造商零件编号:
IRFD110PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

1 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

HVMDIP

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻值

540 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

1.3 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

6.29mm

典型栅极电荷@Vgs

8.3 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

长度

5mm

高度

3.37mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


特点
• TrenchFET ® 功率 MOSFET
•具有低热阻的封装


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor