Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4.1 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 541-1124
- Distrelec 货号:
- 171-15-208
- 制造商零件编号:
- IRFBE30PBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥12.95
(不含税)
¥14.63
(含税)
有库存
- 18 件可立即发货
- 另外 151 件将从其他地点发货
- 另外 1,534 件在 2025年12月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB12.95 |
| 25 - 99 | RMB12.56 |
| 100 - 249 | RMB12.20 |
| 250 - 1249 | RMB11.83 |
| 1250 + | RMB9.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 541-1124
- Distrelec 货号:
- 171-15-208
- 制造商零件编号:
- IRFBE30PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.1 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 78 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.1 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 125 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.41mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 9.01mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor