Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBE30PBF, IRFBE30系列

RS 库存编号:: 541-1124
Distrelec 货号:: 171-15-208
制造商零件编号:: IRFBE30PBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBE30PBF, IRFBE30系列

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制造商零件编号:: IRFBE30PBF
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产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4.1A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRFBE30
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	78nC
	最大功耗 Pd	125W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.8V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.7mm
	长度	10.41mm
	高度	9.01mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4.1A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRFBE30
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78nC
	最大功耗 Pd 125W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.8V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.7mm
	长度 10.41mm
	高度 9.01mm
	汽车标准否

Vishay IRFBE30系列功率MOSFET,800 V漏源电压,4.1 A连续漏电流 - IRFBE30PBF

此功率 MOSFET 是一款通孔 N 通道晶体管,设计用于工业电子产品的开关和功率控制。它是一款适用于高压应用的增强模式设备,可为严苛的电气系统提供电压处理和栅极驱动功能的组合。

特性和优点：

• 800 V 漏源电压可实现高电压开关应用 • 4.1A 连续漏电流支持中等负载电流 • 3 Ω 最大 Rds 可减少传导过程中的电流损耗 • 78 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 125W 功耗可管理电源电路中的热应力 • 工作温度范围为-55°C至150°C,可承受广泛的极端温度

应用

• 适用于高电压电源和转换器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于固态继电器和保护电路 • 可用于自动化面板的负载切换

在设计过程中,我应该遵守哪些栅极电压限制?

栅极驱动必须与源相比保持最大 ±20 V,以防止栅极氧化应力。

如何在 PCB 上进行热管理?

使用 TO‐220AB 封装上的散热器或导热安装解决方案,在额定条件下可耗散高达 125 W 的功率。

在我的设计中,哪些开关特性会影响电磁干扰?

指定的栅极驱动器时的典型栅极电荷为 78 nC,影响上升和下降时间,影响开关过渡和电磁排放。

此设备是否适用于表面安装技术?

它采用TO‐220AB通孔封装,适用于机械安装和传统通孔组装。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFBE30PBF, IRFBE30系列

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