Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 9.7 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-1180
- Distrelec 货号:
- 303-41-279
- 制造商零件编号:
- IRF520NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF520NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 200 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 48 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 200 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 48 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.54mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.69mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 8.77mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，9.7A 最大连续漏极电流，48W 最大功率耗散 - IRF520NPBF
这款 MOSFET 采用先进的 HEXFET 技术，可为各种应用提供高性能。它的持续漏极电流能力为 9.7A，最大漏极-源极电压为 100V，是电子电路的理想元件。其增强模式设计可确保在各种环境下高效运行，是自动化和电子领域专业人员的实用之选。
特点和优势
• 9.7A 的大电流容量提高了性能
• 坚固的设计确保了在极端条件下的功能性
• 200mΩ 的低导通电阻最大限度地减少了功率损耗
• 快速切换功能提高了效率
• 与 TO-220AB 封装兼容，可直接安装
• 坚固的设计确保了在极端条件下的功能性
• 200mΩ 的低导通电阻最大限度地减少了功率损耗
• 快速切换功能提高了效率
• 与 TO-220AB 封装兼容，可直接安装
应用
• 自动化系统中的电源管理
• 切换 电路中
• 提高效率的电机驱动电路
• 高频率 电子学
• 切换 电路中
• 提高效率的电机驱动电路
• 高频率 电子学
低导通电阻对性能有何影响？
低导通电阻降低了发热量，提高了效率，从而最大限度地减少了能量损失，提高了电源应用的整体性能。
温度范围有何意义？
宽广的工作温度范围可确保在各种环境中保持稳定的性能，有效适应高温和低温应用。
该元件能否承受更高的短脉冲电流？
是的，它可以管理高达 38A 的脉冲漏极电流，因此适用于电子电路中的瞬态条件。
安装时有哪些注意事项？
确保按照数据表中的规定安装适当的散热片，以便在运行期间有效管理散热，尤其是在高负载条件下。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。