Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 36 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-1219
- Distrelec 货号:
- 303-41-393
- 制造商零件编号:
- IRL540NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- Distrelec 货号:
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- 制造商零件编号:
- IRL540NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 140 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 74 nC @ 5 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 36 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 44 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 140 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
宽度 4.69mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 74 nC @ 5 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.54mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 8.77mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，36A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRL540NPBF
这种 MOSFET 是高性能电路的重要元件，设计用于有效处理高电流和高电压应用。它的最大漏源电压为 100V，适用于自动化和电子系统中的严苛环境。其强大的性能和可靠的运行可提高各种电气系统的效率。
特点和优势
• 36A 的连续漏极电流能力，可满足苛刻的应用要求
• 44mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行期间的功率损耗
• 增强模式设计可改善开关特性，提高效率
• 功率耗散额定值高达 140 瓦，可满足高性能应用需求
• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C ，用途广泛
• 通孔安装便于与现有系统集成
• 44mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行期间的功率损耗
• 增强模式设计可改善开关特性，提高效率
• 功率耗散额定值高达 140 瓦，可满足高性能应用需求
• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C ，用途广泛
• 通孔安装便于与现有系统集成
应用
• 工业自动化系统中的电源管理
• 机器人中的电机控制
• 可再生能源系统中的直流-直流转换器
• 需要高效开关功能的电源
• 有效配电的消费电子产品
• 机器人中的电机控制
• 可再生能源系统中的直流-直流转换器
• 需要高效开关功能的电源
• 有效配电的消费电子产品
最大额定电压和电流是多少？
最大漏极-源极电压为 100V，连续漏极电流为 36A。
低 Rds(on) 如何提高性能？
44mΩ 的低 Rds(on)可将功率耗散降至最低，从而提高效率并降低热负荷。
增强模式有何意义？
该模式可改善对运行的控制，实现高效切换和应用多样性。
它是否能在高温环境中使用？
是的，它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，适用于极端条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。