Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 23 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-1225
- Distrelec 货号:
- 303-41-310
- 制造商零件编号:
- IRF9540NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 541-1225
- Distrelec 货号:
- 303-41-310
- 制造商零件编号:
- IRF9540NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 23 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 117 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 140 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 97 nC @ 10 V | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 23 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 117 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 140 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.54mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.69mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V | ||
高度 8.77mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，23A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRF9540NPBF
这款 P 沟道 MOSFET 适用于电子和自动化领域的高性能应用。它支持 23A 的最大连续漏极电流和 100 V 的漏极-源极电压，从而提高了电路效率。增强模式配置可对输出进行精确控制，因此适用于各种行业，包括电气和机械应用。
特点和优势
• 可处理高达 23A 的连续漏极电流，性能强劲
• 最大漏极-源极电压为 100V，可实现稳定运行
• 117 mΩ 的低最大漏极-源极电阻优化了能效
• 功率耗散可达 140 瓦，适用于高强度应用
• 10V 时的典型栅极电荷为 97 nC，支持快速开关
• 最大漏极-源极电压为 100V，可实现稳定运行
• 117 mΩ 的低最大漏极-源极电阻优化了能效
• 功率耗散可达 140 瓦，适用于高强度应用
• 10V 时的典型栅极电荷为 97 nC，支持快速开关
应用
• 应用于电源管理电路，实现高效能量转换
• 用于电机控制系统，实现精确调速
• 集成到电源电路中，提高运行可靠性
• 用于各种自动化系统，以实现有效的控制功能
• 用于电机控制系统，实现精确调速
• 集成到电源电路中，提高运行可靠性
• 用于各种自动化系统，以实现有效的控制功能
最佳性能的温度范围是多少？
工作温度范围在 -55°C 至 +175°C 之间，可在各种环境条件下有效使用。
栅极阈值电压对运行有何影响？
栅极阈值电压在 2V 和 4V 之间变化，确保可靠的激活和响应控制信号的平稳运行。
安装时需要哪种安装方式？
这款 MOSFET 专为通孔安装而设计，便于集成到不同的电子组件中。
这种 MOSFET 能否用于高频应用？
是的，它适合高频开关应用，因为它具有低栅极电荷和快速开关能力。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。