Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 18 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-1231
- 制造商零件编号:
- IRLZ24NPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 541-1231
- 制造商零件编号:
- IRLZ24NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 60 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 60 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 45 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
宽度 4.69mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.54mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 8.77mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，45W 最大功率耗散 - IRLZ24NPBF
这种 MOSFET 是各种电源应用的重要元件，以其高效的性能和坚固的规格而著称。英飞凌的 HEXFET 技术可确保电子设计的精确性，因此在自动化和机械行业很受欢迎。它能有效控制设备中的电流，对现代电气系统产生重大影响。
特点和优势
• 支持最大 18A 连续漏极电流，性能卓越
• 可在 55V 的最大漏极-源极电压下工作，适用于多种应用场合
• 低栅极阈值电压可最大限度地减少运行期间的能量损耗
• 具有低漏极-源极电阻，可提高效率
• 具有增强模式功能，可实现精确切换
• 可承受高达 +175°C 的温度，在恶劣条件下也能正常工作
• 可在 55V 的最大漏极-源极电压下工作，适用于多种应用场合
• 低栅极阈值电压可最大限度地减少运行期间的能量损耗
• 具有低漏极-源极电阻，可提高效率
• 具有增强模式功能，可实现精确切换
• 可承受高达 +175°C 的温度，在恶劣条件下也能正常工作
应用
• 用于工业自动化系统的电源管理
• 集成到开关电源中，实现最佳性能
• 应用于电机驱动电路，提高控制性能
• 集成到各种消费电子产品中，性能可靠
• 集成到开关电源中，实现最佳性能
• 应用于电机驱动电路，提高控制性能
• 集成到各种消费电子产品中，性能可靠
为确保正常运行，建议采用哪些栅极-源极电压？
该器件可处理 -16V 至 +16V 的最大栅极源极电压，确保性能稳定。
该组件能否用于高温环境？
是的，它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，适合各种应用。
低 Rds(on) 对能耗有何影响？
低漏极-源极电阻最大限度地减少了功率损耗，提高了整体效率，并降低了运行过程中的发热量。
安装时有哪些注意事项？
应适当注意安装类型，以确保安装牢固和足够的冷却，防止过热。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。