Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 18 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRLZ24NPBF, HEXFET系列

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541-1231
制造商零件编号:
IRLZ24NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

16 V

最大功耗 Pd

45W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

4.69 mm

长度

10.54mm

高度

8.77mm

标准/认证

JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，45W 最大功率耗散 - IRLZ24NPBF


这种 MOSFET 是各种电源应用的重要元件，以其高效的性能和坚固的规格而著称。英飞凌的 HEXFET 技术可确保电子设计的精确性，因此在自动化和机械行业很受欢迎。它能有效控制设备中的电流，对现代电气系统产生重大影响。

特点和优势


• 支持最大 18A 连续漏极电流，性能卓越

• 可在 55V 的最大漏极-源极电压下工作，适用于多种应用场合

• 低栅极阈值电压可最大限度地减少运行期间的能量损耗

• 具有低漏极-源极电阻，可提高效率

• 具有增强模式功能，可实现精确切换

• 可承受高达 +175°C 的温度，在恶劣条件下也能正常工作

应用


• 用于工业自动化系统的电源管理

• 集成到开关电源中，实现最佳性能

• 应用于电机驱动电路，提高控制性能

• 集成到各种消费电子产品中，性能可靠

为确保正常运行，建议采用哪些栅极-源极电压？


该器件可处理 -16V 至 +16V 的最大栅极源极电压，确保性能稳定。

该组件能否用于高温环境？


是的，它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，适合各种应用。

低 Rds(on) 对能耗有何影响？


低漏极-源极电阻最大限度地减少了功率损耗，提高了整体效率，并降低了运行过程中的发热量。

安装时有哪些注意事项？


应适当注意安装类型，以确保安装牢固和足够的冷却，防止过热。

该元件是否与标准 TO-220AB 封装兼容？


是的，它的设计符合 TO-220AB 标准，便于集成到现有系统中。