Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP140NPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 541-1269
Distrelec 货号:: 303-41-344
制造商零件编号:: IRFP140NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP140NPBF, HEXFET系列

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Distrelec 货号:: 303-41-344
制造商零件编号:: IRFP140NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	33A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	52mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	140W
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	94nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	高度	20.3mm
	长度	15.9mm
	标准/认证	No
	宽度	5.3 mm
	Distrelec Product Id	30341344
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 33A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 52mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 140W
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 94nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	高度 20.3mm
	长度 15.9mm
	标准/认证 No
	宽度 5.3 mm
	Distrelec Product Id 30341344
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRFP140NPBF

这种 MOSFET 在提高各种电子应用的效率和性能方面发挥着至关重要的作用。它可承受高电流和高电压，为自动化系统、电子和机械行业提供可靠的电源管理解决方案。它能够在极端条件下工作，确保了在众多应用中的多功能性。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 33A，增强了负载能力

• 漏源电压额定值高达 100V，可实现高效性能

• 最大漏极-源极电阻低至 52 mΩ，可实现高效运行

• 设计功率耗散为 140W，以管理散热条件

• 10V 电压下的典型栅极电荷为 94 nC，可实现快速开关速度

应用

• 开关电源的可靠使用

• 电机控制实现精确操作

• 大电流在电力转换系统中

• 集成到功率放大器中，提高信号放大率

该元件能承受的最大电压是多少？

它能承受 100V 的最大漏极-源极电压，适合高压应用。

栅极电荷对运行有何影响？

在 10V 电压下，典型的栅极电荷为 94 nC，有助于加快开关速度，提高电路效率。

该元件的热特性如何？

它可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效运行，确保在不同环境下的可靠性。

该组件可用于自动化项目吗？

是的，它的高持续电流容量和额定电压是各种自动化应用的理想选择。

低 RDS(on) 如何提高其性能？

较低的最大漏极-源极电阻有助于减少传导损耗，从而提高运行能效。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP140NPBF, HEXFET系列