Name: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 57 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 541-1584
Price: 16.35 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	57 A
	最大漏源电压	100 V
	系列	HEXFET
	封装类型	TO-247AC
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	25 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最小栅阈值电压	2V
	最大功率耗散	200 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	长度	15.9mm
	宽度	5.3mm
	晶体管材料	Si
	最高工作温度	+175 °C
	典型栅极电荷@Vgs	190 nC @ 10 V
	每片芯片元件数目	1
	最低工作温度	-55 °C
	正向二极管电压	1.3V
	高度	20.3mm

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 57 A
	最大漏源电压 100 V
	系列 HEXFET
	封装类型 TO-247AC
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 25 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最小栅阈值电压 2V
	最大功率耗散 200 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	长度 15.9mm
	宽度 5.3mm
	晶体管材料 Si
	最高工作温度 +175 °C
	典型栅极电荷@Vgs 190 nC @ 10 V
	每片芯片元件数目 1
	最低工作温度 -55 °C
	正向二极管电压 1.3V
	高度 20.3mm

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，57A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRFP3710PBF

这款 MOSFET 专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。它采用 N 沟道配置，可处理高持续漏极电流，即使在高温条件下也能确保有效性能，并具有低导通电阻，因此适用于工业环境。

特点和优势

• 高连续漏极电流能力支持强大的性能
• 最大漏极-源极电压为 100V，增强了多功能性
• 25mΩ 的低 RDS(on)最大限度地减少了运行过程中的能量损耗
• 200 瓦的高功率耗散能力可实现有效的能源管理
• 增强型晶体管可控制开关操作
• TO-247AC 封装便于集成到通孔应用中

应用

• 电源电路的理想选择
• 常见于电机控制系统中
• 适用于汽车电源管理解决方案
• 用于电池管理系统

该设备工作的最高温度是多少？

最高工作温度可达 +175°C ，可在高温环境下高效工作。

该设备如何处理大电流？

它支持 57A 的连续漏极电流，能够为高要求应用提供电源，而不会出现故障。

能否用于通孔设计？

是的，TO-247AC 封装允许通孔安装，简化了与各种电路板的集成。

这种 MOSFET 可以切换哪种负载？

该设备具有 200 瓦的高功率耗散，可管理较大的负载，适合重型应用。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位
1 - 6	RMB14.47
7 - 12	RMB14.03
13 +	RMB13.61