Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 17 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
541-1607
制造商零件编号:
IRFU024NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

17A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

IPAK

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

45W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

6.22mm

长度

6.73mm

宽度

2.39 mm

汽车标准

否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，17A 最大连续漏极电流，45W 最大功率耗散 - IRFU024NPBF


这款高性能 N 沟道 MOSFET 适合各种电气应用。该元件的规格包括 17A 的最大连续漏极电流和 55V 的最大漏极-源极电压，对自动化和电子领域的专业人士非常重要。该设备可在高温环境下运行，因此在要求苛刻的项目中性能十分可靠。

特点和优势


• 最大功率耗散高达 45 瓦，可实现稳健运行

• 75mΩ 的低漏极-源极电阻可提高能效

• 最大栅极阈值为 4V，可提高性能

• 单晶体管配置简化了设计集成

• 专为通孔安装而设计，采用 TO-251 封装，便于安装

应用


• 用于电源管理系统以提高效率

• 高频开关的理想选择

• 适用于汽车电子设备，确保性能稳定

• 受雇于工业自动化控制系统

• 适用于电信，以保持信号完整性

支持的最大连续漏极电流是多少？


支持的最大连续漏极电流为 17A，适用于各种需要大功率处理能力的应用。

温度对性能有何影响？


该元件可在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作，确保在极端条件下的稳定性。

它能处理不同的栅源电压吗？


是的，它能适应 -20 V 至 +20 V 的栅极源极电压，为电路设计提供了灵活性。

低漏极-源极电阻有什么影响？


75mΩ 的低漏极-源极电阻可减少发热，提高效率，这对高性能应用至关重要。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。