Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 11 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU9024NPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-1657
- 制造商零件编号:
- IRFU9024NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 541-1657
- 制造商零件编号:
- IRFU9024NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 175mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大功耗 Pd | 38W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 IPAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 175mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大功耗 Pd 38W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 2.39 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，11A 最大连续漏极电流，38W 最大功率耗散 - IRFU9024NPBF
这款 P 沟道 MOSFET 适用于高效电源管理应用。它的最大连续漏极电流为 11A，最大漏极-源极电压为 55V，善于处理大负载，同时确保在各种工作条件下的可靠性。其通孔安装方式可无缝集成到现有设计中，是自动化和电子领域专业人士的关键组件。
特点和优势
• 175mΩ 的低 Rds(on) 值提高了能效
• 最大功率耗散为 38 瓦，支持强劲性能
• 单晶体管配置简化了设计流程
• 符合无铅标准，适用于注重环保的应用场合
应用
• 适用于电源和转换电路
• 用于电机控制系统，实现有效运行
• 集成到电池管理系统中，提高性能
• 适用于汽车环境，具有可靠的功率处理能力
• 适用于要求性能稳定的工业自动化设备
稳定运行的温度范围是多少？
该元件可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效工作，确保在各种环境下都能发挥可靠的性能。
如何高效处理大功率负载？
它的最大功率耗散为 38W，Rds(on) 低至 175mΩ，能以最小的能量损耗管理高功率负载。
是否与标准 PCB 布局兼容？
是的，通孔安装方式与标准 PCB 布局兼容，便于直接集成。
栅极电压应考虑哪些标准？
栅极源极电压范围为 -20V 至 +20V，灵活性极高; 在 10V 电压下可实现最佳性能，从而有效运行。
它如何提高电源管理的效率？
其低导通电阻和大电流能力可在各种电源管理方案中最大限度地提高效率。