Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF5210PBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 541-1720
Distrelec 货号:: 303-41-280
制造商零件编号:: IRF5210PBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF5210PBF, HEXFET系列

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Distrelec 货号:: 303-41-280
制造商零件编号:: IRF5210PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	60mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	-1.6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	180nC
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	200W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	高度	8.77mm
	宽度	4.69 mm
	长度	10.54mm
	Distrelec Product Id	30341280
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 60mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf -1.6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 200W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	高度 8.77mm
	宽度 4.69 mm
	长度 10.54mm
	Distrelec Product Id 30341280
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，40A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF5210PBF

这种 MOSFET 专为各种电气和电子应用而设计。它针对高效率进行了优化，可支持对电源管理至关重要的自动化和控制系统。其坚固的规格实现了精确的电路控制，确保了在具有挑战性的环境中的可靠性和效率。

特点和优势

• 40A 连续漏极电流可满足大功率应用需求

• 100V 最大漏极-源极电压提供了多功能操作性

• P 沟道设计简化了电路配置

• 增强模式功能有助于高效电源管理

• 最大功率耗散能力强，可提高散热性能

应用

• 工业自动化中的功率开关

• 用于高效供电的直流-直流转换器

• 精密电机控制电路

• 电子器件中的峰值功率处理方案

该组件的最高工作温度是多少？

该元件可在 +175°C 的最高温度下工作，因此适用于高温应用。

低导通电阻对电路性能有何益处？

低导通电阻降低了功率损耗，从而提高了能效并改善了热管理。

这是否适合应用于汽车系统？

是的，其坚固的规格和热特性使其适用于对可靠性要求极高的汽车应用。

它可以集成到哪些电路配置中？

该组件可无缝集成到各种配置中，包括单列和并列布置，使设计更加灵活。

如何安装才能确保最佳性能？

确保与散热器有适当的热接触，并遵守建议的 PCB 布局指南，以提高性能和可靠性。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF5210PBF, HEXFET系列