Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 40 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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541-1720
Distrelec 货号:
303-41-280
制造商零件编号:
IRF5210PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

40 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

TO-220AB

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

60 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

200 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

晶体管材料

Si

长度

10.54mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

180 nC @ 10 V

宽度

4.69mm

高度

8.77mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.6V

P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V,Infineon


Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET,40A 最大连续漏极电流,200W 最大功率耗散 - IRF5210PBF


这种 MOSFET 专为各种电气和电子应用而设计。它针对高效率进行了优化,可支持对电源管理至关重要的自动化和控制系统。其坚固的规格实现了精确的电路控制,确保了在具有挑战性的环境中的可靠性和效率。

特点和优势


• 40A 连续漏极电流可满足大功率应用需求
• 100V 最大漏极-源极电压提供了多功能操作性
• P 沟道设计简化了电路配置
• 增强模式功能有助于高效电源管理
• 最大功率耗散能力强,可提高散热性能

应用


• 工业自动化中的功率开关
• 用于高效供电的直流-直流转换器
• 精密电机控制电路
• 电子器件中的峰值功率处理方案

该组件的最高工作温度是多少?


该元件可在 +175°C 的最高温度下工作,因此适用于高温应用。

低导通电阻对电路性能有何益处?


低导通电阻降低了功率损耗,从而提高了能效并改善了热管理。

这是否适合应用于汽车系统?


是的,其坚固的规格和热特性使其适用于对可靠性要求极高的汽车应用。

它可以集成到哪些电路配置中?


该组件可无缝集成到各种配置中,包括单列和并列布置,使设计更加灵活。

如何安装才能确保最佳性能?


确保与散热器有适当的热接触,并遵守建议的 PCB 布局指南,以提高性能和可靠性。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。