Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF5305PBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 541-1736
Distrelec 货号:: 303-41-281
制造商零件编号:: IRF5305PBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF5305PBF, HEXFET系列

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Distrelec 货号:: 303-41-281
制造商零件编号:: IRF5305PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	31A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	60mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	110W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.3V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.54mm
	标准/认证	No
	宽度	4.69 mm
	高度	8.77mm
	Distrelec Product Id	30341281
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 31A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 60mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 110W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.3V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.54mm
	标准/认证 No
	宽度 4.69 mm
	高度 8.77mm
	Distrelec Product Id 30341281
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，31A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRF5305PBF

这款 MOSFET 专为高效电源应用而设计，具有灵活性和可靠性。其增强模式操作使其适用于各种需要受控开关的系统，尤其是工业和自动化环境。

特点和优势

• 31A 的连续漏极电流容量可满足苛刻的应用要求

• 额定电压为 55 伏，开关性能可靠

• 60mΩ 的低导通电阻降低了功率损耗

• TO-220AB 封装设计增强了散热性能

• 栅极源极电压范围为 ±20V，可满足各种应用需求

• 快速开关优化提高了整体系统效率

应用

• 用于电机控制系统，实现高效运行

• 适用于电源电路，性能稳定

• 集成到需要有效开关功能的电子设备中

• 适用于可再生能源系统

运行的温度范围是多少？

它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于极端条件。

软件包类型对性能有何影响？

TO-220AB 封装热阻低，提高了运行期间的冷却效率。

它能处理脉冲漏极电流应用吗？

是的，它支持高达 110A 的脉冲漏极电流，确保了满足瞬态需求的足够性能。

这是什么类型的晶体管？

它是一款 P 沟道硅 MOSFET，专为高效应用而优化。

是否与自动化装配流程兼容？

是的，通孔设计允许集成到自动化系统和电路板中。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF5305PBF, HEXFET系列