Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 48 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFZ44EPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-1809
- 制造商零件编号:
- IRFZ44EPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRFZ44EPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 48A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.023Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 标准/认证 | ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 48A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.023Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.54mm | ||
高度 8.77mm | ||
标准/认证 ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB | ||
宽度 4.69mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，48A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRFZ44EPBF
该 MOSFET 采用 N 沟道结构，特别适用于工业与自动化应用场景。它支持高连续漏极电流，这对于功率应用十分有利。专为提升效率而设计，适用于需要快速切换和持久耐用性的电气与电子系统。
特点和优势
• 连续漏极电流能力高达 48A，可实现有效运行
• 漏极-源极电压为 60V，用于电源管理
• 低 Rds(on) 提高了效率，减少了功率损耗
• 采用 TO-220AB 封装，便于直接安装和散热
• 完全符合雪崩等级，确保在压力条件下的可靠性
应用
• 提高效率的电源电路
• 电机控制 在自动化任务中
• 用于电压调节的直流-直流转换器
• 高性能电池管理系统
• 加强控制的电子开关装置
安全运行的最大栅极至源极电压是多少？
最大栅极至源极电压为 ±20V，可确保运行期间的正常功能和安全性。
如何有效地安装这一组件？
它专为通孔安装而设计，便于牢固地固定在 PCB 布局或散热器上。
如果设备超过其最高结温会发生什么情况？
超过 175°C 的最高结温会导致热损坏; 因此，适当的冷却管理至关重要。
能否用于高速交换应用？
是的，它支持快速切换能力，适用于需要快速信号处理的应用。
室温下的典型功率耗散能力是多少？
在 25°C 的温度下，它的耗散功率可达 110W，能够处理大量的功率流而不会过热。