Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N60A系列

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包装方式:
RS 库存编号:
541-1922P
制造商零件编号:
IRFB9N60APBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

9.2A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

IRFB9N60A

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

750mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

170W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.41mm

高度

9.01mm

宽度

4.7 mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor