Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 9.2 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N60A系列

可享批量折扣

小计 13 件 (以带装提供)*

RMB131.17

(不含税)

RMB148.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

单位
每单位
13 - 24RMB10.09
25 +RMB9.93

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
541-1922P
制造商零件编号:
IRFB9N60APBF
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

9.2A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

IRFB9N60A

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

750mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

170W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

9.01mm

长度

10.41mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor