Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=9.2 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFB9N60A系列

RS 库存编号:: 541-1922P
制造商零件编号:: IRFB9N60APBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=9.2 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFB9N60A系列

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制造商零件编号:: IRFB9N60APBF
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	9.2A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRFB9N60A
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	750mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	49nC
	最大功耗 Pd	170W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.5V
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	最高工作温度	150°C
	高度	9.01mm
	长度	10.41mm
	宽度	4.7mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 9.2A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRFB9N60A
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 750mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC
	最大功耗 Pd 170W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.5V
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	最高工作温度 150°C
	高度 9.01mm
	长度 10.41mm
	宽度 4.7mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Vishay IRFB9N60A 系列功率 MOSFET，600V 漏源电压，9.2A 连续漏极电流 - IRFB9N60APBF

该功率MOSFET是一款高压N沟道晶体管，适用于工业电子领域的开关和放大任务。它作为增强型器件工作，并提供TO-220AB通孔封装，适合电子散热器安装。该元件专为在宽温度范围内运行而设计，适用于严苛的热环境。

特性和优点：

• 600V 漏源额定值可实现高压开关
• 9.2A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 750mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 170W 最大功耗，可实现高功率处理
• 49nC 典型栅极电荷可实现可控的开关动态
• 30V栅极容差支持标准栅极驱动电压

应用

• 适用于离线电源和SMPS
• 适用于变频器和电机驱动级应用
• 用于高压DCDC转换器设计
• 可用于工业设备的感性负载开关
• 用于通孔开发板的功率级原型

该设备在运行过程中可承受哪些极端温度？

其指定工作环境温度为-55°C至150°C，可适应低温启动及高温热应力。

该封装形式如何支持系统中的安装和散热？

TO-220AB 封装外形支持稳固的通孔固定，并可直接安装在电子散热器上，从而改善导热性能。

开关性能需要考虑哪些栅极驱动因素？

栅源极驱动电压应保持在±30V以内

49nC栅极电荷会影响实现目标开关速度所需的驱动电流。

该器件是否适用于汽车级应用？

它未按照汽车行业标准进行特性验证，因此建议将其用于工业级应用，而非需要汽车级认证的部署场景。