Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=11 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A系列

RS 库存编号:: 541-1944P
制造商零件编号:: IRFB11N50APBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, Id=11 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A系列

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制造商零件编号:: IRFB11N50APBF
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	11A
	最大漏源电压 Vd	500V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	IRFB11N50A
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	520mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	52nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	170W
	正向电压 Vf	1.5V
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	最高工作温度	150°C
	长度	10.41mm
	宽度	4.7mm
	标准/认证	RoHS
	高度	9.01mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 11A
	最大漏源电压 Vd 500V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 IRFB11N50A
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 520mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 170W
	正向电压 Vf 1.5V
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	最高工作温度 150°C
	长度 10.41mm
	宽度 4.7mm
	标准/认证 RoHS
	高度 9.01mm
	汽车标准否

Vishay IRFB11N50A系列功率 MOSFET，500V 漏源电压，11A连续漏极电流 - IRFB11N50APBF

该功率MOSFET是一款高压N沟道开关器件，专为工业和电力电子领域的通孔电路板安装而设计。它在宽温度范围内运行，支持大开关电流和电压，并采用TO-220AB封装，便于散热和底盘安装。

特性和优点：

• 500V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 11A的连续漏极电流支持重载处理
• 170W最大耗散功率，支持大电流功率切换
• 导通电阻为520mΩ，提供可预测的传导损耗
• 52nC典型栅极电荷，支持受控栅极驱动设计
• 30V栅极限制，可防止驱动电压过高

应用

• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业电机驱动开关级
• 与功率变频器的分立MOSFET组件配合使用
• 可用于开关模式电源稳压器和控制器
• 适用于实验室动力测试台架和原型机

在野外作业和储存条件下，预计会遇到什么样的温度范围？

它可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内工作，适用于严苛的环境条件。

该器件是如何在系统中安装和散热的？

TO-220AB 通孔封装形式，允许通过螺栓固定在外部电子散热器或底座上以增强热传递效果。

为了防止损坏，有哪些重要的栅极驱动注意事项？

将栅极电压保持在 30V 以内，并设计驱动电路以提供约 52nC 的电荷，从而实现可靠开关。

正向电压对于电路中的导通有何影响？

1.5V正向电压会影响导通期间的系统总损耗，应将其纳入热计算和效率计算中。