Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, 11 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB11N50APBF, IRFB11N50A系列

RS 库存编号:: 541-1944P
制造商零件编号:: IRFB11N50APBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=500 V, 11 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB11N50APBF, IRFB11N50A系列

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制造商零件编号:: IRFB11N50APBF
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	11A
	最大漏源电压 Vd	500V
	系列	IRFB11N50A
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	520mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	170W
	正向电压 Vf	1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	52nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	高度	9.01mm
	长度	10.41mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 11A
	最大漏源电压 Vd 500V
	系列 IRFB11N50A
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 520mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 170W
	正向电压 Vf 1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	高度 9.01mm
	长度 10.41mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.7mm
	汽车标准否

Vishay IRFB11N50A 系列功率 MOSFET,500 V 最大漏源电压,11 A 最大连续漏电流 - IRFB11N50APBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业系统中的功率转换和控制而设计。它可用作增强模式晶体管,用于管理高电压负载,并使用TO-220AB通孔封装通过PCB安装,便于散热和组装。

特性和优点：

• 500 V 最大排放源电压可实现高电压切换
• 11 A 连续漏电流支持中等负载电流
• 520 mΩ Rds(on)可减少低负荷电路中的传导损耗
• 170W 功耗可实现大量热处理
• 52nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关动态
• 最高工作温度为150°C,可承受高温环境

应用

• 适用于电源中的SMPS初级侧开关
• 适用于电机驱动器中的变频器级别切换
• 用于高电压直流-直流转换模块
• 可用于工业继电器和接触器驱动电路

为确保安全运行,我应该遵守哪些栅极驱动限制?

将栅极驱动在 ±30 V 以内,以避免超过最大栅极源额定值并确保可靠的切换。

热管理对连续负载下的性能有何影响?

将散热器连接到TO-220AB插片,以保持接线温度低于最大限值并保持指定的功耗能力。

支持在工业场所部署哪些环境范围?

该设备可耐受低至-55°C和高达150°C的工作温度,适用于广泛的环境条件。

封装方式对安装和维护性有何影响?

通孔 TO-220AB 格式可实现牢固的机械安装,并在维护期间轻松更换。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 11 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB11N50APBF, IRFB11N50A系列

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