Name: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 541-2470
Price: 13.25 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	20 A
	最大漏源电压	100 V
	系列	HEXFET
	封装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	52 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最小栅阈值电压	2V
	最大功率耗散	54 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	典型栅极电荷@Vgs	94 nC @ 10 V
	每片芯片元件数目	1
	宽度	4.83mm
	最高工作温度	+175 °C
	长度	10.63mm
	晶体管材料	Si
	正向二极管电压	1.3V
	高度	8.9mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 20 A
	最大漏源电压 100 V
	系列 HEXFET
	封装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 52 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最小栅阈值电压 2V
	最大功率耗散 54 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	典型栅极电荷@Vgs 94 nC @ 10 V
	每片芯片元件数目 1
	宽度 4.83mm
	最高工作温度 +175 °C
	长度 10.63mm
	晶体管材料 Si
	正向二极管电压 1.3V
	高度 8.9mm
	最低工作温度 -55 °C

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，20A 最大连续漏极电流，54W 最大功率耗散 - IRFI540NPBF

这种 MOSFET 专为电子工业中的高性能应用而开发，在电源管理中发挥着重要作用，并为电子信号的开关和放大提供了可靠的解决方案。它可以管理巨大的电压和电流负载，确保现代电子设备的效率。

特点和优势

• 连续漏极电流额定值高达 20A
• 额定电压为 100V，性能经久耐用
• 栅极阈值电压低，开关效率更高
• 功率耗散能力高达 54W，经久耐用
• 适用于各种应用的 N 沟道增强模式设计
• 52 mΩ 的低漏极-源极电阻最大限度地减少了能量损耗

应用

• 用于电子电路电源
• 适用于汽车电源管理系统
• 用于电机控制系统，提高效率
• 对可再生能源系统的电力转换非常重要
• 应用于自动化机械，实现有效的控制过程

该设备的最大持续额定电流是多少？

该器件支持 20A 的最大连续漏极电流，适合各种应用。

栅极阈值电压对性能有何影响？

栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，有利于在较低的控制电压下实现高效开关并提高性能。

该设备能否在高温环境中工作？

是的，它可以在高达 +175°C 的温度下工作，确保在挑战性条件下的性能。

是否建议采用特定的安装方式以获得最佳性能？

它适合通孔安装，可在不同应用中实现安全连接和有效的热管理。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位
1 - 9	RMB11.73
10 - 49	RMB11.52
50 - 99	RMB11.25
100 - 499	RMB10.97
500 +	RMB9.03