Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 43 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS Stock No.:
- 542-9232P
- Mfr. Part No.:
- IRF3415PBF
- Brand:
- Infineon
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- IRF3415PBF
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- Infineon
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 200nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 200nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 8.77mm | ||
长度 10.54mm | ||
宽度 4.69 mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
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