Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=14 A, 3针, TO-263, IRF系列

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包装方式:
RS 库存编号:
542-9311P
制造商零件编号:
IRF644SPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

14A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

TO-263

系列

IRF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

68nC

最大功耗 Pd

3.1W

正向电压 Vf

1.8V

最大栅源电压 Vgs

-20, +20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

9.65mm

标准/认证

No

高度

4.83mm

长度

10.67mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


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