Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, Id=10 A, 3针, JEDEC TO-220AB, IRF740A系列
- RS 库存编号:
- 542-9399P
- 制造商零件编号:
- IRF740APBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 542-9399P
- 制造商零件编号:
- IRF740APBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 系列 | IRF740A | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 550mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30V, +30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
系列 IRF740A | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 550mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -30V, +30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.41mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 4.7mm | ||
高度 9.01mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRF740A 系列功率 MOSFET,400 V 最大漏源电压,10 A 最大连续漏电流 - IRF740APBF
这款功率MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为电力电子领域的开关应用而设计。它在宽温度范围内工作，并采用通孔TO-220AB封装，便于散热和直接安装。该器件符合RoHS标准，专为需要承受高电压的电路中的增强型开关应用而设计。
特性和优点：
• 400V漏源极额定电压，可实现高压开关能力
• 10A 持续漏极电流，确保稳定的功率输出
• 125W最大功耗，支持更高负载运行
• 550mΩ导通电阻，提供可预测的传导损耗
• 典型栅极电荷为36nC，便于栅极驱动
• 30V最大栅源电压，可防止过驱损坏
• 10A 持续漏极电流，确保稳定的功率输出
• 125W最大功耗，支持更高负载运行
• 550mΩ导通电阻，提供可预测的传导损耗
• 典型栅极电荷为36nC，便于栅极驱动
• 30V最大栅源电压，可防止过驱损坏
应用
• 适用于离线电源和转换器
• 适用于电机驱动开关级应用
• 用于需要高电压的变频器电路
• 可用于工业开关稳压器
• 适用于通孔原型制作和维修工作
• 适用于电机驱动开关级应用
• 用于需要高电压的变频器电路
• 可用于工业开关稳压器
• 适用于通孔原型制作和维修工作
可靠运行的温度限制是多少？
该器件的额定工作温度范围为-55°C至150°C，在配备适当冷却措施的情况下，可用于严苛的热环境。
该封装形式对于热管理有何帮助？
TO-220AB 通孔封装形式支持安装至电子散热器，并提供低热‑阻路径，可在规定条件下实现高达 125W 的散热。
在快速开关应用中，需要考虑哪些栅极驱动因素？
其典型栅极电荷为36nC，驱动器选型应匹配所需的开关速度，并考虑开关损耗及可用的驱动电流。
在设计计算中，正向电压应如何处理？
在依赖体‑二极管特性或同步开关的电路中，估算导通损耗和电压降时应计入2V正向电压。