Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=400 V, Id=10 A, 3针, TO-263, IRF740S系列
- RS 库存编号:
- 542-9406P
- 制造商零件编号:
- IRF740SPBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB24.34 |
| 100 - 249 | RMB23.71 |
| 250 - 499 | RMB23.12 |
| 500 + | RMB22.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 542-9406P
- 制造商零件编号:
- IRF740SPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IRF740S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 550mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IRF740S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 550mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 2V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 9.65mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRF740S系列功率MOSFET，400V漏源电压，10A连续漏极电流 - IRF740SPBF
这款功率MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为表面贴装组件的开关和电源转换应用而设计。它可在宽环境温度范围内工作，适用于需要受控栅极驱动和强大功率处理能力，同时符合RoHS指令的应用。
特性和优点：
• 400V 漏源额定值可实现高压开关
• 10A 连续漏极电流支持大负载电流
• 125W功耗能力提升了热裕量
• 550mΩ导通电阻，兼顾导通损耗和控制简便性
• 63nC典型栅极电荷，可实现可预测的开关特性
• 20V最大栅源电压额定值保护栅极驱动设计
• 10A 连续漏极电流支持大负载电流
• 125W功耗能力提升了热裕量
• 550mΩ导通电阻，兼顾导通损耗和控制简便性
• 63nC典型栅极电荷，可实现可预测的开关特性
• 20V最大栅源电压额定值保护栅极驱动设计
应用
• 适用于工业设备的开关电源
• 适用于高压电机驱动级应用和变频器
• 与可再生能源转换器的隔离式栅极驱动器配合使用
• 可用于处理中等电流的DCDC转换器
• 适用于高密度 SMT 电路板的电源管理
• 适用于高压电机驱动级应用和变频器
• 与可再生能源转换器的隔离式栅极驱动器配合使用
• 可用于处理中等电流的DCDC转换器
• 适用于高密度 SMT 电路板的电源管理
该器件在运行过程中能耐受的温度极限是多少？
其指定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，涵盖了典型的商业级及扩展工业级温度范围。
该封装对于板级组装和热性能有何影响？
TO-263 表面贴装封装允许通过焊接将热量传导至 PCB 铜箔层，并支持在紧凑的 SMT 布局中实现更高的功耗散发能力。
为避免损坏，设计人员应该遵守哪些栅极驱动限制？
栅源电压不得超过20V，以防止栅氧化层承受应力及潜在故障。
该器件为电路集成提供多少路外部连接？
它提供三个引脚，分别对应标准单通道 MOSFET 的漏极、源极和栅极连接。