Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 1.8 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF系列
- RS 库存编号:
- 542-9462
- 制造商零件编号:
- IRF9610PBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥7.80
(不含税)
¥8.81
(含税)
有库存
- 另外 47 件在 2025年12月22日 发货
- 另外 948 件在 2025年12月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB7.80 |
| 25 - 99 | RMB7.67 |
| 100 - 249 | RMB7.47 |
| 250 - 499 | RMB7.27 |
| 500 + | RMB7.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 542-9462
- 制造商零件编号:
- IRF9610PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | IRF | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -5.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.8A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 IRF | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -5.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.7 mm | ||
高度 9.01mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 功率 MOSFET 技术是 Advanced 系列功率 MOSFET 晶体管的关键。高效的几何结构和独特的功率 MOSFET 设计处理可实现极低的导通电阻，以及高导电性和极强的设备坚固性。TO-220AB 封装是功耗水平约为 50 W 的所有商业 - 工业应用的通用首选
动态 dV/dt 额定值
易于并联
简单的驱动器要求