Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 64 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
542-9608
制造商零件编号:
IRFI3205PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

64 A

最大漏源电压

55 V

系列

HEXFET

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

8 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

63 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

宽度

4.83mm

长度

10.75mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

170 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

高度

9.8mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.3V

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，64A 最大连续漏极电流，63W 最大功率耗散 - IRFI3205PBF


这种 MOSFET 适合高效应用，可为各种电子和电气系统提供解决方案。凭借先进的处理技术，它能有效地完成电源管理和开关任务，是现代设计的关键组件。其增强模式技术可确保在各种运行条件下都能保持稳定的性能。

特点和优势


• 64A 的连续漏极电流能力可支持高性能应用
• 55V 漏极-源极电压提高了电路可靠性
• 8mΩ 的低导通电阻降低了功率损耗
• 快速开关速度提高了高频应用的效率
• 额定最大功率耗散为 63W，支持有效的散热管理
• TO-220 封装设计可直接安装在各种装置中

应用


• 用于电源，实现高效的能量转换
• 适用于管理大电流的直流-直流转换器
• 电机控制的理想选择 需要快速切换
• 用于可再生能源系统中的逆变器电路
• 用于电动汽车电源管理系统

低导通电阻如何提高性能？


低导通电阻可减少热量损失，提高效率，确保负载获得更多能量，而不是浪费热量。

高效运行的最佳栅极电压是多少？


10V 的最佳栅极电压可确保最大导通，从而保证在大电流应用中可靠运行。

该元件能否处理脉冲电流？


是的，它的额定脉冲漏极电流高达 390A，适合瞬态需求应用。

它的工作温度范围是多少？


它能在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作，适应各种环境条件。

该产品是否与标准 PCB 安装兼容？


是的，其 TO-220 封装设计可确保与传统的通孔 PCB 安装方式兼容。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。