Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 50 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP260NPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 542-9771
- 制造商零件编号:
- IRFP260NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 542-9771
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- IRFP260NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 234nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 234nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 20.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.3 mm | ||
长度 15.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，50A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IRFP260NPBF
这款 MOSFET 适用于大功率应用，可为各种电子系统提供高效率和高可靠性。凭借其增强模式设计和强大的电流处理能力，它在优化电路性能和有效管理热耗散方面发挥着至关重要的作用。
特点和优势
• 支持高达 50A 的连续泄放电流，性能强劲
• 最大漏极-源极电压为 200V 时仍能高效运行
• 增强模式设计提供了更好的控制性和多功能性
• 40mΩ 的低 Rds(on) 值减少了能量损失
• 设计用于通孔安装，便于安装
应用
• 用于电源电路，以管理大电流
• 适用于汽车 需要耐用的电子元件
• 应用于工业设备，实现有效的功率控制
• 常见于可再生能源系统中，以提高效率
该元件的最大耗散功率是多少？
功率耗散可高达 300W，确保在高负载条件下实现高效性能。
低 Rds(on) 如何提高电路效率？
40mΩ 的低 Rds(on)大大减少了传导损耗，提高了整体效率，并将运行期间的发热量降至最低。
在功率应用中使用这种 MOSFET 有哪些优势？
这款 MOSFET 可提供较高的连续漏极电流，并能在较宽的温度范围内有效工作，因此非常适合功率应用。
是否易于与电路中的其他元件一起安装？
通孔安装方式简化了与各种电路设计的集成，可直接与现有元件组装。
增强模式设计对性能有何影响？
增强模式设计确保器件只有在施加足够的栅极电压时才会导通，从而提高了开关效率，并减少了非活动期间不必要的电流。