Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 23 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP9140NPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 542-9816
Distrelec 货号:: 302-84-056
制造商零件编号:: IRFP9140NPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 23 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP9140NPBF, HEXFET系列

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Distrelec 货号:: 302-84-056
制造商零件编号:: IRFP9140NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	23A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-247
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	117mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	97nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	140W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	-1.3V
	最高工作温度	175°C
	宽度	5.3 mm
	标准/认证	No
	高度	20.3mm
	长度	15.9mm
	汽车标准	否
	Distrelec Product Id	30284056

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 23A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-247
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 117mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 97nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 140W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf -1.3V
	最高工作温度 175°C
	宽度 5.3 mm
	标准/认证 No
	高度 20.3mm
	长度 15.9mm
	汽车标准否
	Distrelec Product Id 30284056

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，23A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRFP9140NPBF

这款大功率 MOSFET 专为在各种应用中实现高效开关性能而设计。它是电力电子设备的理想选择，将高连续漏极电流能力与低电阻相结合，有助于在多种运行环境下对自动化和电气系统进行可靠而精确的控制。

特点和优势

• P 沟道配置可实现灵活的电路设计

• 最大连续漏极电流为 23A

• 100V 漏极-源极额定电压可提高安全性

• 117mΩ 的低 RDS（on）降低了功率损耗

• 适用于增强模式应用，确保性能稳定

应用

• 用于电机控制提高效率

• 适用于要求高可靠性的能源管理系统

• 常见于电源电路中，运行稳定

• 应用于开关稳压器，实现有效的功率转换

• 适用于需要可靠开关的工业自动化系统

该器件的最大栅极阈值电压是多少？

它的最大栅极阈值电压为 4V，适用于各种电路设计。

RDS(on) 值对性能有何影响？

117mΩ 的低 RDS(on) 值最大限度地减少了能量损失，提高了应用效率和热管理水平。

哪些类型的电路可以受益于这种 MOSFET？

它既适用于线性电路，也适用于开关电路，因此可用于各种电子应用。

运行所需的闸门电荷一般是多少？

为了达到最佳性能，MOSFET 在 10V 栅极-源极电压下需要 97nC 的典型栅极电荷。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 23 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP9140NPBF, HEXFET系列