Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU5305PBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 542-9951
Distrelec 货号:: 303-41-378
制造商零件编号:: IRFU5305PBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU5305PBF, HEXFET系列

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产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	31A
	最大漏源电压 Vd	55V
	系列	HEXFET
	包装类型	IPAK
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	65mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	110W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最高工作温度	175°C
	宽度	2.3 mm
	标准/认证	No
	长度	6.6mm
	高度	6.1mm
	汽车标准	否
	Distrelec Product Id	30341378

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 31A
	最大漏源电压 Vd 55V
	系列 HEXFET
	包装类型 IPAK
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 65mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 110W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最高工作温度 175°C
	宽度 2.3 mm
	标准/认证 No
	长度 6.6mm
	高度 6.1mm
	汽车标准否
	Distrelec Product Id 30341378

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，31A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRFU5305PBF

这款 MOSFET 专为各种电子应用而设计，具有高效性和可靠性。由于采用了先进的加工技术，单位硅面积的电阻很小，因此适用于高性能电路设计。其强大的功能可适应各种漏极电流和电压规格，确保在自动化和电气系统中的最佳应用。

特点和优势

• 电流处理能力高达 31A

• 在增强模式下有效运行，提高性能

• 静态漏极至源极导通电阻低，能耗效率高

• 栅极至源极电压范围宽达 ±20V，实现多功能控制

• 可承受高达 110W 的功率耗散水平

• 紧凑型 TO-251 IPAK 封装有助于节省安装空间

应用

• 消费电子产品电源管理的理想选择

• 应用于可再生能源系统，实现高效控制

• 适用于电源电动汽车

• 用于高频开关电源，提高性能

可保持的工作温度范围是多少？

该元件可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内工作，适用于各种环境。

安装对性能有何影响？

在空间有限的应用中正确安装可优化散热，从而提高可靠性和性能。

使用过程中的热量管理应注意什么？

由于其在高漏极电流下工作时的最大功率耗散为 110 W，因此确保采用适当的冷却方法至关重要。

哪些类型的电路设计可从其规格中获益？

低导通电阻和高额定电流使其非常适合电机控制和电源等应用中注重效率和尽量减少能量损耗的设计。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU5305PBF, HEXFET系列