Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=9.2 A, 3针, TO-263, IRFS9N60A系列
- RS 库存编号:
- 542-9995P
- 制造商零件编号:
- IRFS9N60APBF
- 制造商:
- Vishay
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- IRFS9N60APBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IRFS9N60A | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 750mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30V, +30V | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 9.2A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IRFS9N60A | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 750mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC | ||
最大栅源电压 Vgs -30V, +30V | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 9.65mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 4.83mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRFS9N60A 系列功率 MOSFET，600V 漏源电压，9.2A 连续漏极电流 - IRFS9N60APBF
该功率MOSFET是一款高压N沟道开关晶体管，专为需要卓越热性能和电气性能的表贴应用而设计。它可在宽环境范围内运行，用于需要电流处理和耐压能力相结合的电源转换、开关和高压电路。
特性和优点：
• 600V漏极额定值，支持高压开关操作
• 9.2A的持续电流能力，支持中等负载
• 750mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 170W最大耗散功率，可实现高功率吞吐量
• 49nC典型栅极电荷优化了开关动态性能
• 30V栅极阈值电压，支持通用栅极驱动电压
• 9.2A的持续电流能力，支持中等负载
• 750mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 170W最大耗散功率，可实现高功率吞吐量
• 49nC典型栅极电荷优化了开关动态性能
• 30V栅极阈值电压，支持通用栅极驱动电压
应用
• 适用于离线开关模式电源
• 适用于高压电机驱动级应用
• 用于变频器和可再生能源转换器
• 可用于工业电源控制器
• 适用于高压照明镇流器设计
• 适用于高压电机驱动级应用
• 用于变频器和可再生能源转换器
• 可用于工业电源控制器
• 适用于高压照明镇流器设计
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在多种热环境条件下使用。
该元件如何封装以便安装在电路板上？
它采用TO-263封装，用于表面贴装，便于散热和自动化组装。
应遵守哪些栅极驱动电压限制？
最大栅源电压为30V，不应超过此值，以免损坏栅氧化层。
该器件采用增强型还是耗尽型运行模式？
它是一款增强型N沟道MOSFET，需要相对于源极施加正栅极驱动电压才能导通。