Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, 1.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF710系列

RS 库存编号:: 543-0074
Distrelec 货号:: 171-15-165
制造商零件编号:: IRF710PBF
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, 1.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF710系列

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Distrelec 货号:: 171-15-165
制造商零件编号:: IRF710PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.2A
	最大漏源电压 Vd	400V
	系列	IRF710
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.6Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.6V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	36W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	17nC
	最高工作温度	150°C
	高度	9.01mm
	长度	10.41mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.2A
	最大漏源电压 Vd 400V
	系列 IRF710
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.6Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.6V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 36W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC
	最高工作温度 150°C
	高度 9.01mm
	长度 10.41mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.7mm
	汽车标准否

Vishay IRF710系列功率MOSFET,400 V最大漏源电压,1.2 A最大连续漏电流 - IRF710PBF

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业和电子系统中的开关和电源管理功能而设计。它可在宽温度范围内工作,并采用通孔安装封装,为需要在高电压下分立晶体管开关的板和组件提供紧凑、可维护的选择。

特性和优点：

• 400 V 漏源额定值可实现高电压开关应用 • 3.6Ω Rds(on)可减少低电流电路中的传导损耗 • 1.2 A 连续漏电流支持适度负载电流 • 17nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关控制 • 36W 功耗可处理间歇热负载 • 20V 栅极-源极限允许常见的栅极驱动电压

应用

• 适用于工业继电器和接触器驱动器级 • 特别适用于高电压实验室电源 • 用于电源侧缓冲器和出血电阻器切换 • 可用于低电流辅助电路中的电机控制

它使用哪种安装方式,为什么有用?

它是一款采用TO-220AB封装的通孔设备,可简化可维护组件的散热和更换。

它在运行过程中可承受的环境温度范围是多少?

该设备专为 -55°C 至 150°C 的工作温度范围而设计,可在具有广泛热变化的环境中使用。

栅极电荷对驱动器选择有何影响?

典型栅极电荷为 17nC,驱动器必须为所需的开关速度提供足够的峰值电流,同时管理栅极驱动能量。

应用的最大安全栅极电压是多少?

最大栅极-源电压为 20 V,因此栅极驱动电路应相应限制控制电压,以避免损坏。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 1.2 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF710系列

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