Infineon , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 162 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列, IRF1404LPBF
- RS 库存编号:
- 543-0822
- 制造商零件编号:
- IRF1404LPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 543-0822
- 制造商零件编号:
- IRF1404LPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 162A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20, -20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 162A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20, -20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，最大连续漏极电流 162A，最大功耗 3.8W - IRF1404LPBF
该 MOSFET 为各类电子应用提供高效解决方案，尤其适用于对高性能要求至关重要的场合。其先进的加工技术使其适用于自动化与电子控制系统，为现代电源管理设备提供支持。
特性和优点
• 提供 162A 连续漏极电流，确保强劲性能
• 可承受最高 40V 漏源电压，保障运行安全
• 具备 4mΩ 低导通电阻 (RDS(on))，提升能效表现
• 采用增强模式技术，提升开关性能
• 支持通孔安装，便于集成至现有设计
应用领域
• 用于大电流电路中的功率调节
• 适用于工业自动化领域的电源设计
• 应用于电机驱动与控制系统
• 适用于可再生能源系统中的 DC-DC 转换器
最大功耗能力是多少？
在特定条件下，其可处理高达 3.8W 的功耗，确保运行时不会过热，实现最佳性能。
是否兼容表面贴装设计？
虽然主要采用 I2PAK 封装用于通孔应用，但也可集成到其他需要坚固组件的工业设计中。
为获得最佳性能，应如何安装？
遵循正确的通孔安装技术，确保焊接牢固，防止运行期间出现热故障和机械故障。
超出规定限制会带来什么影响？
超过连续漏极电流或电压限值可能导致器件热过载或永久性损坏，从而影响整个系统的可靠性。
该元件安装后能否重复使用？
若采用谨慎的拆卸技术，可进行重新安装，但反复的热循环可能影响长期可靠性。