Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 202 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF1404PBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
543-1083
Distrelec 货号:
302-84-006
制造商零件编号:
IRF1404PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

202A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

HEXFET

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.004Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

131nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

333W

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

8.77mm

宽度

4.83 mm

标准/认证

No

汽车标准

Distrelec Product Id

30284006

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,202A 最大连续漏极电流,333W 最大功率耗散 - IRF1404PBF


这款功率 MOSFET 专为在各种应用中实现高效率和高可靠性而设计,因此对于自动化、电子和电气工程领域的专业人士来说非常重要。所采用的先进加工技术确保了最小的导通电阻和较宽的工作温度范围,从而扩大了其适用性。

特点和优势


• 202A 的连续漏极电流支持强劲的性能

• 4mΩ 的低 Rds(on) 值提高了能效

• 快速切换功能提高了整体性能

• 可在高达 175°C 的高温下工作

• 采用硅 MOSFET 技术,实现有效的热管理

• 采用 TO-220AB 封装,可直接安装

应用


• 用于工业自动化系统中的高效功率开关

• 适用于大电流电机控制和驱动

• 供电的理想选择 效率优先

• 用于可再生能源系统,实现有效的电源管理

可以管理哪种类型的电压?


该器件的漏极和源极之间可支持高达 40V 的电压水平,为各种电压调节应用提供了多功能性。

低导通电阻对系统效率有何影响?


较低的 Rds(on)大大降低了运行过程中的功率损耗,从而最大限度地减少了能源浪费,提高了系统效率。

运行时能承受的温度是多少?


其设计可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内高效运行,因此适用于具有挑战性的环境。

它能处理脉冲漏极电流吗?


是的,它可以容纳高达 808A 的脉冲漏极电流,为不同的应用需求提供了灵活性。

TO-220AB 封装有什么意义?


TO-220AB 封装便于有效散热和方便安装,适用于商业和工业用途。