Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 210 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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543-1156
制造商零件编号:
IRFP3703PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

210 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

TO-247AC

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

2.8 个月

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

3.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

5.3mm

典型栅极电荷@Vgs

209 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

长度

15.9mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

20.3mm

正向二极管电压

1.3V

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，210A 最大连续漏极电流，3.8W 最大功率耗散 - IRFP3703PBF


这种大电流 MOSFET 对于需要高效电源管理的应用至关重要。其 HEXFET 技术可确保其满足各种工业和电子用途的性能标准。作为一种 N 沟道器件，它能为稳健高效的半导体系统提供强大的电流处理能力和有效的电压控制。

特点和优势


• 可处理高达 210A 的连续漏极电流
• 2.8mΩ 的低导通电阻最大限度地减少了功率损耗
• 针对高速运行进行了优化，可快速开启和关闭
• 单晶体管配置简化了电路设计

应用


• 用于电源管理系统，实现高效开关
• 应用于同步整流以增强能量转换
• 集成在工业自动化设备中，运行可靠
• 用于要求高效率和最小发热量的电源中
• 适用于汽车 需要耐用部件

该设备最适合哪类应用？


由于具有大电流处理能力和高电压能力，该设备在电源管理，特别是同步整流和工业自动化方面表现出色。

高持续漏极电流对性能有何影响？


持续管理 210A 的能力可实现高效的能量传输，同时减少发热，从而提高整体性能和可靠性。

低电阻有什么影响？


2.8mΩ 的低导通电阻大大降低了运行过程中的功率损耗，提高了效率，并有助于高负载条件下的热管理。

此设备可处理哪些工作温度范围?


它能在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作，适用于各种苛刻的环境。

MOSFET 的配置如何改进电路设计？


单晶体管配置简化了电路布局，减少了所需元件的数量，同时确保了在高速应用中的可靠运行。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。