Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 47 A, Super-247封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
543-1522
制造商零件编号:
IRFPS43N50KPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

47 A

最大漏源电压

500 V

封装类型

Super-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

90 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

540 W

晶体管配置

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

5.3mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

350 nC @ 10 V

长度

16.1mm

高度

20.8mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor


Vishay 功率 MOSFET 具有低栅极电荷 Qg ,可实现简单的驱动要求,且具有改进的栅极,雪崩和动态 dV/dt 坚固性。

工作接点和存储温度范围 - 55 至 + 150°C


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor