Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 2 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 543-2193
- 制造商零件编号:
- IRFI9610GPBF
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 543-2193
- 制造商零件编号:
- IRFI9610GPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 27 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 9.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 27 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 9.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
Vishay 第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速切换，耐震设备设计，低接通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK 在商业 - 工业应用中无需额外的绝缘硬件。使用的模制化合物在插片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。
动态 dV/dt 额定值
低热阻
低热阻
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor