onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=115 mA, 3针, SOT-23, 2N7002L系列

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包装方式：
RS 库存编号:
545-0012
制造商零件编号:
2N7002LT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

115mA

最大漏源电压 Vd

60V

系列

2N7002L

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.5Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

300mW

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

160nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

标准/认证

No

高度

0.94mm

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor


MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


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