onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 200 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 545-2529
- 制造商零件编号:
- BSS138LT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.719 | RMB42.98 |
| 50 - 100 | RMB1.689 | RMB42.23 |
| 125 - 225 | RMB1.646 | RMB41.15 |
| 250 - 1225 | RMB1.605 | RMB40.13 |
| 1250 + | RMB1.321 | RMB33.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-2529
- 制造商零件编号:
- BSS138LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大功率耗散 | 225 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 50 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大功率耗散 225 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 1.3mm | ||
长度 2.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.94mm | ||