Renesas Electronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=50 V, 100 mA, SC-59, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 548-4740
- 制造商零件编号:
- 2SK1399-A
- 制造商:
- Renesas Electronics
不可供应
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- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SC-59 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 20 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最大栅源电压 | -7 V、+7 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 mA | ||
最大漏源电压 50 V | ||
封装类型 SC-59 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 20 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最大栅源电压 -7 V、+7 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2.9mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
N 通道低电压 MOSFET，高达 140V，Renesas Electronics
MOSFET 晶体管，Renesas Electronics (NEC)