Toshiba N沟道增强型MOSFET管, Vds=30 V, 18 A, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 601-5424
- 制造商零件编号:
- TPC8018-H(Q)
- 制造商:
- Toshiba
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 601-5424
- 制造商零件编号:
- TPC8018-H(Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1900 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC V @ 5, 38 nC V @ 10 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1900 mW | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC V @ 5, 38 nC V @ 10 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N 通道，TPCxxxx，Toshiba
MOSFET 晶体管，Toshiba