Toshiba P沟道增强型MOSFET管, Vds=30 V, 10 A, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
601-5468
制造商零件编号:
TPC8109(Q)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

P

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

30 V

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

20 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

1900 mW

最大栅源电压

±20 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

45 nC V @ 10

最低工作温度

-55 °C

高度

1.5mm

COO (Country of Origin):
JP