Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 780 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
610-6851
制造商零件编号:
IRLML6302TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

780 mA

最大漏源电压

20 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

600 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.5V

最小栅阈值电压

0.7V

最大功率耗散

540 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-12 V、+12 V

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

2.4 nC @ 4.5 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

高度

1.01mm

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon


Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

客制化产品，不可取消或退货，遵循RS销售条款。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。