Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=23 A, 3针, TO-252, SUD23N06-31系列
- RS 库存编号:
- 636-5397P
- 制造商零件编号:
- SUD23N06-31-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SUD23N06-31-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SUD23N06-31 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 31mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 31.25W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 23A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SUD23N06-31 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 31mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 31.25W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
宽度 6.22mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2.38mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SUD23N06-31 系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，23A 最大连续漏极电流 - SUD23N06-31-GE3
这款N沟道增强型MOSFET是一款表面贴装型功率晶体管，专为电子系统中的开关和电源管理功能而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要中等电压处理和强大连续电流能力的应用。该器件采用 TO-252 封装，便于 PCB 安装和热接口连接。
特性和优点：
• 60V漏源耐压，支持中压开关应用
• 23A 连续漏极电流支持高电流负载
• 31mΩ低导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 典型栅极电荷为11nC，可实现更快的开关速度并降低驱动能耗
• 31.25W 功耗，可处理高热负载
• 23A 连续漏极电流支持高电流负载
• 31mΩ低导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 典型栅极电荷为11nC，可实现更快的开关速度并降低驱动能耗
• 31.25W 功耗，可处理高热负载
应用
• 适用于DC-DC转换器开关级应用
• 适用于电机驱动器的配电应用
• 与电池管理电路及电源轨电路配合使用
• 可用于LED驱动器电源开关
• 适用于电机驱动器的配电应用
• 与电池管理电路及电源轨电路配合使用
• 可用于LED驱动器电源开关
为确保可靠运行，我应遵守哪些栅极电压限制？
最大栅源电压为 20V，因此，栅极驱动器和偏置网络必须将 Vgs 保持在此阈值范围内以避免损坏。
该器件如何在极端温度条件下运行？
其规定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够满足严苛环境中的冷启动工况以及较高的结温要求。
哪些封装设计因素会影响PCB上的热管理？
TO-252 封装为电路板提供导热通道
在贴装焊盘下方布置适当的覆铜区域和散热过孔，可改善散热并保持功率能力。
它使用什么引脚配置和数量来进行布局规划？
它是一款三引脚器件，可简化封装设计，同时支持紧凑布局中的直接电源和栅极连接。