Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IRF4905LPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 650-3662
制造商零件编号:: IRF4905LPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IRF4905LPBF, HEXFET系列

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产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	74A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-262
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	20mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	180nC
	正向电压 Vf	-1.3V
	最大功耗 Pd	3.8W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.67mm
	宽度	4.83 mm
	高度	10.54mm
	标准/认证	No
	Distrelec Product Id	304-29-285
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 74A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-262
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 20mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC
	正向电压 Vf -1.3V
	最大功耗 Pd 3.8W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.67mm
	宽度 4.83 mm
	高度 10.54mm
	标准/认证 No
	Distrelec Product Id 304-29-285
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，-70A 最大连续漏极电流，3.8W 最大功率耗散 - IRF4905LPBF

这款英飞凌 MOSFET 采用 P 沟道配置，能够处理 -70A 连续漏极电流，最大漏极-源极电压为 55V。它专为高性能应用而设计，尤其是在需要有效电源管理和高效率的电子电路中。它适用于自动化和电子领域的用户，可在各种环境下可靠运行。

特点和优势

• 高温下性能更强，最高可达 +175°C

• 低 RDS(on)，减少运行时的功率损耗

• 快速切换功能可提高效率

• 可承受反复雪崩条件而不发生故障

• 有效的栅极电荷特性可提高电路响应速度

应用

• 用于高能效设备的电源管理电路

• 无刷直流电机控制的理想之选

• 适用于汽车电子设备，提高可靠性

• 适用于需要坚固组件的工业自动化系统

运行时可承受的电压类型是什么？

它能承受 55V 的最大漏极-源极电压，适合中高压应用。

该设备能否在高温下运行？

是的，它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可以在极端条件下工作。

低 RDS(on) 对电路设计有何益处？

低 RDS(on) 降低了传导损耗，从而提高了效率，降低了电力应用中的发热量。

该元件是否与典型的 PCB 设计兼容？

是的，它专为通孔安装而设计，可无缝集成到各种电子设计中使用的标准 PCB 布局中。

该 MOSFET 的栅极阈值电压是多少？

栅极阈值电压的最大值为 4V，最小值为 2V，确保电路在低电压下也能正常开关。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IRF4905LPBF, HEXFET系列