Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 38 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 650-3707
- 制造商零件编号:
- IRF5210LPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 650-3707
- 制造商零件编号:
- IRF5210LPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 38 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 60 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 3.1 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 高度 | 10.54mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 38 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 60 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 3.1 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.69mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.54mm | ||
高度 10.54mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。