Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 650-4277
- 制造商零件编号:
- IRFB4227PBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 650-4277
- 制造商零件编号:
- IRFB4227PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 65 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 330 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 65 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 24 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 330 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V | ||
宽度 4.82mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.66mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 9.02mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
电动机控制 MOSFET
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同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
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