Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=75 V, 210 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB3077PBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 650-4716
Distrelec 货号:: 303-41-316
制造商零件编号:: IRFB3077PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=75 V, 210 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB3077PBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRFB3077PBF
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产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	210A
	最大漏源电压 Vd	75V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	最大功耗 Pd	370W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	160nC
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.82 mm
	高度	9.02mm
	标准/认证	No
	长度	10.66mm
	汽车标准	否
	Distrelec Product Id	30341316

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 210A
	最大漏源电压 Vd 75V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	最大功耗 Pd 370W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 160nC
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.82 mm
	高度 9.02mm
	标准/认证 No
	长度 10.66mm
	汽车标准否
	Distrelec Product Id 30341316

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，210A 最大连续漏极电流，75V 最大漏极源电压 - IRFB3077PBF

这种 MOSFET 是一种高性能的电力电子元件，适用于各种要求苛刻的应用。它采用 Si MOSFET 技术设计，采用 TO-220AB MOSFET 封装，可实现有效的热管理。它的最大连续漏极电流为 210A，最大漏极-源极电压为 75V，在大电流应用中表现出色，同时确保在苛刻条件下的可靠性能。

特点和优势

• 实现 3.3mΩ 的低 RDS(on)，实现高效运行

• 专为增强模式设计，支持强大的应用程序

• 最大功率耗散高达 370 瓦，优化了设备的使用寿命

• 改进的雪崩和动态 dV/dt 强度可确保安全

• 完全表征电容，提高开关性能

• 适用于高速功率开关，具有出色的热稳定性

应用

• 用于高效同步整流系统

• 不间断电源配置的理想选择

• 适用于硬开关和高频电路

• 促进工业自动化系统的高效电源管理

• 支持各种电气和机械电源设计

该元件可承受的工作温度范围是多少？

它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内可靠运行，适用于各种环境。

低 RDS(on) 对应用有什么好处？

低 RDS（on）大大降低了运行过程中的功率损耗，从而在需要大电流的应用中提高了能效和热性能。

TO-220AB 封装格式有哪些优势？

这种封装形式可确保更好的散热和更简便的安装，特别是在通孔安装的情况下，从而促进了稳健的电路设计。

它需要哪种类型的栅极阈值电压？

该元件支持 2V 至 4V 的栅极阈值电压，可与各种控制电路兼容。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 210 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFB3077PBF, HEXFET系列