Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 65 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP4227PBF, HEXFET系列

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥18.15

(不含税)

¥20.51

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 34 件将从其他地点发货
  • 另外 956 件在 2025年12月24日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 6RMB18.15
7 - 12RMB17.61
13 +RMB17.08

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
650-4772
制造商零件编号:
IRFP4227PBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

65A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-247

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

25mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

330W

最大栅源电压 Vgs

30 V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

5.3 mm

长度

15.9mm

高度

20.3mm

汽车标准

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET,65A 最大连续漏极电流,330W 最大功率耗散 - IRFP4227PBF


这种 MOSFET 是当代电子应用中的重要元件,可为大功率系统提供可靠的控制和开关功能。它具有强大的性能和效率,适用于各种工业任务,尤其适用于需要高热阻和低传导损耗的场合。增强模式设计有助于在各种条件下实现最佳运行,因此非常适合自动化、电气系统和机械应用。

特点和优势


• 为高强度应用提供 65A 连续漏极电流

• 在最大 200V 漏极-源极电压下高效运行

• 低 RDS(on)有助于提高使用过程中的能效

• 额定耐高温达 175°C

• 针对快速开关进行了优化,将下降和上升时间降至最短

• 具有出色的重复雪崩能力,可提高系统可靠性

应用


• 用于能源回收系统,提高效率

• 与 PDP 持续系统兼容 实现有效绩效

• 适用于需要精确控制的大功率电机驱动电路

• 用于自动化流程中的开关电源

• 用于专业音频放大器,可实现有效的输出处理

在高温下可承受的最大电流是多少?


它能在 100°C 温度下管理 46A 的连续漏极电流,确保在恶劣环境中也能正常工作。

该组件在脉冲条件下的性能如何?


脉冲漏极电流最高可达 130A,适合瞬态应用。

使用该设备时对冷却有什么要求?


它从结点到外壳的热阻为 0.45°C/W,需要有效的散热机制才能达到最佳运行状态。

安装时需要哪种安装方式?


安装时需要通孔安装,适用于需要牢固连接的坚固应用。

栅极电荷对开关速度有何影响?


它的典型栅极总电荷为 70nC,可实现快速高效的开关,这在高速应用中至关重要。