Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 600 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, SI1302DL-T1-E3, Si1302DL系列

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655-6795
制造商零件编号:
SI1302DL-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

600mA

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si1302DL

包装类型

SC-70

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

480mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.8V

最大功耗 Pd

280mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.86nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

长度

2.2mm

宽度

1.35 mm

高度

1mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor