Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=600 mA, 3针, SC-70, Si1302DL系列
- RS 库存编号:
- 655-6795P
- 制造商零件编号:
- SI1302DL-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 + | RMB2.934 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 655-6795P
- 制造商零件编号:
- SI1302DL-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 600mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 系列 | Si1302DL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 480mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20, +20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大功耗 Pd | 280mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 600mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SC-70 | ||
系列 Si1302DL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 480mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.86nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20, +20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大功耗 Pd 280mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.35mm | ||
汽车标准 否 | ||