onsemi , 2 N型, P型沟道 共漏极 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 9 A, TO-252, 表面安装, 5引脚, PowerTrench系列, FDD8424H
- RS 库存编号:
- 671-0356P
- 制造商零件编号:
- FDD8424H
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 54mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20, -20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 54mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20, -20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.39mm | ||
长度 6.73mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
PowerTrench® 双 N/P 沟道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是经过优化的功率开关器件，能够提升系统效率与功率密度。其结合了低栅极电荷 (Qg)、低反向恢复电荷 (Qrr) 以及软反向恢复体二极管特性，有助于实现交流/直流电源中同步整流的快速切换。
最新一代 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅结构，实现电荷平衡。通过运用此项先进技术，这些器件的品质因数较前代产品显著降低。
PowerTrench® MOSFET 的软体二极管性能可省去缓冲电路，或替代更高额定电压的 MOSFET。
MOSFET 晶体管，ON Semi
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ON Semi MOSFET 器件通过降低电压尖峰与过冲、减少结电容及反向恢复电荷、无需额外外部元件等优势，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。