onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, FDN337N系列
- RS 库存编号:
- 671-0429P
- 制造商零件编号:
- FDN337N
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
¥61.38
(不含税)
¥69.36
(含税)
供应短缺
- 10,040 件将从其他地点发货
我们目前的库存有限，并且我们的供应商预计会出现缺货。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 40 | RMB3.069 |
| 50 - 90 | RMB2.986 |
| 100 - 190 | RMB2.958 |
| 200 + | RMB2.929 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0429P
- 制造商零件编号:
- FDN337N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | FDN337N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.92mm | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-43-435 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 FDN337N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.92mm | ||
高度 0.94mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-43-435 | ||
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。