onsemi , 2 P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 671-0532P
- 制造商零件编号:
- FDS4935A
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 625 件 (以卷装提供)*
¥5,701.25
(不含税)
¥6,442.50
(含税)
有库存
- 另外 1,075 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 625 - 1245 | RMB9.122 |
| 1250 + | RMB8.852 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 671-0532P
- 制造商零件编号:
- FDS4935A
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -0.75V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -0.75V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||